高密度DDR3芯片

该系列产品采用工业级温度范围，满足-40°C至95°C极端工况的使用需求，产品的封装高度仅为1.33mm（64位）和 0.84mm（32位），极小的外形尺寸与0.65mm的球间距，既可用于封入Sip的基板设计，也可用于常规的PCB设计，极低的封装高度使得D3系列模组适用于高可靠性，高性能及高密度系统，为拥有严苛体积和面积要求的应用领域提供了卓越的解决方案，如嵌入式系统、医疗设备等。

产品特点：

• 由 8 位预取流水线结构实现了高速数据传输；
• 双数据速率架构：每个时钟周期进行两次数据传输；
• 双向差分数据选通（DQS 和 /DQS）与数据 一起发送/接收，以便在接收器上捕获数据；
• 读取数据时，DQS 与数据边缘对齐；写入数 据时，DQS 与数据中心对齐；
• 差分时钟输入（CK 和 /CK）；
• DLL 将 DQ 和 DQS 过渡与 CK 过渡对齐；
• 在每个正 CK 边沿输入命令；数据和数据掩码 参考 DQS 的两个边沿；
• 数据掩码（DM）；
• 自动自我刷新 (ASR)；
• 通过可编程加法延迟发布 CAS，以提高命令和 数据总线总线效率；
• 片上终端（ODT），以提高信号质量： 同步 ODT；动态 ODT；异步 ODT；
• 多用途寄存器（MPR），用于读出预定义模式；
• 用于 DQ 驱动和 ODT 的 ZQ 校准；
• 可编程部分阵列自刷新（PASR）；
• RESET 引脚用于上电顺序和复位；
• SRT（自刷新温度）范围：正常/扩展； 
• 可编程输出驱动器阻抗控制；
• 无行锤（RH-Free）：内部检测/阻塞电路；

产品规格：

• 容量：16Gb、8Gb；
• 位宽：64位、32位；
• 电压：1.5V；
• 球间距：0.65mm；
• 数据速率：1600 Mb/s；
• 温度范围：-40℃~95℃；
• 封装尺寸： FBGA 288 12*12*1.33mm（64位）； FBGA 288 12*12*0.84mm（32位）；