高密度DDR4芯片

独特的微型化技术将DDR4 SDRAM 存储器浓缩在一个紧凑、高度坚固的封装中。该器件非常适合需在尺寸、重量和功耗方面进行优化的高速 DDR4 内存的应用。

产品特点：

• DDR4 数据速率：数据传输速度高达 2400 Mbps；
• VDD= VDDQ = 1.2V，VPP = 2.5V；
• 工业温度范围：-40℃至 +95°C 工作温度；
• 配置为1-rank X64bit 或 X72bit 数据；
• 16 个内部存储器: 4 组，每组 4 个存储体
• 8n 位预取架构；
• 可编程数据选通前置码 ；
• 命令/地址延迟 （CAL）；
• 多用途寄存器具有读取和写入功能；
• 写入和读取平移；
• 自刷新模式和低功耗自动自刷新（LPASR）；
• 名义（Nominal）、驻留（park）和动态片上端接（ODT）；
• 支持数据总线反转（DBI）；
• 命令/地址（CA）奇偶校验；
• 数据总线写入循环冗余校验（CRC）

塑料球栅阵列 (PBGA) 封装

• 13 x 20 x 1.82 毫米封装；
• 321 引脚数；
• 0.8 毫米球间距；
• 湿度灵敏度（MSL）3；

x72 元件的密度比较

• 与分立式芯片封装想比，可节省 75%的空间；
• 元件减少高达 88%；
• 100% 高低温和电气测试，确保最高质量；
• 可用组件报废管理，实现长期供应连续性；